| 发明名称 | 探测结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种探测结构的制造方法，属于半导体技术领域。该方法包括：在硅衬底上形成第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上形成第一释放保护层；在所述第一释放保护层上形成电极层，所述电极层包括第一电极和第二电极；在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层；在所述电极层和所述第二牺牲层之上形成热敏感层，所述热敏感层分别与所述第一电极和第二电极形成电连接，以将光信号转换得到的电信号输出到外围电路；在所述热敏感层之上形成第二释放保护层，并去除所述第一牺牲层，以形成微桥结构。本发明提高了该红外探测装置的性能、成品率和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102942158A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201210436520.8 | 申请日期 | 2012.11.05 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 康晓旭;左青云;袁超 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种探测结构的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成第一牺牲层，并在所述第一牺牲层上形成第一释放保护层；在所述第一释放保护层上形成电极层，所述电极层包括第一电极和第二电极；在所述电极层上形成第二牺牲层，使第一电极和第二电极嵌在其中，并图形化所述第二牺牲层以去除第一电极和第二电极上的所述第二牺牲层；在所述电极层和所述第二牺牲层之上形成热敏感层，所述热敏感层分别与所述第一电极和第二电极形成电连接，以将光信号转换得到的电信号输出到外围电路；在所述热敏感层之上形成第二释放保护层，并去除所述第一牺牲层，以形成微桥结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||