发明名称 |
一种空穴型氮铟镓p-In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜及其制备 |
摘要 |
一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜,化学分子式为InxGa1-xN,式中x为0.3-0.8,该空穴型氮铟镓薄膜具有反型n表面层,薄膜厚度为0.2-0.6µm,表面层厚度为20-30nm;其制备方法是:在MOCVD沉积系统的进样室中,对衬底表面进行表面等离子体清洗,然后在沉积室中采用两步法在衬底表面沉积掺Mg具有反型n表面层的p-InxGa1-xN薄膜。本发明的优点是:该空穴型氮铟镓薄膜,对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙,为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能,且其吸收系数高,载流子迁移率高,抗辐射能力强;其制备方法工艺条件方便易行,有利于大规模推广应用。 |
申请公布号 |
CN102943249A |
申请公布日期 |
2013.02.27 |
申请号 |
CN201210461478.5 |
申请日期 |
2012.11.14 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
薛玉明;朱亚东;潘宏刚;宋殿友;刘君;张嘉伟;辛治军;尹振超;尹富红;刘浩;冯少君 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜,其特征在于:化学分子式为InxGa1‑xN,式中x为0.3‑0.8,该空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜具有反型n表面层,即空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜由薄膜体层和薄膜表面层组成,其中薄膜体层导电类型为p型,即Mg掺杂空穴型,薄膜表面层导电类型为n型,即Mg掺杂电子型;该空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜沉积在衬底上,厚度为0.2‑0.6μm,其中表面层厚度为20‑30nm。 |
地址 |
300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |