| 发明名称 | 具有埋置应变层和减少的浮体效应的SOI晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 通过在有浮体架构的SOI晶体管(200，300，400)中之应变硅/锗材料(207，307，407)内形成一部分(209A，309A，409A)的PN结(209，309，409)，可明显增加结漏电，从而减少浮体效应。可基于注入及退火技术来实现定位PN结(209，309，409)之一部分(209A，309A，409A)于应变硅/锗材料(207，307，407)内，这与外延生长于原位掺杂之硅/锗来形成深漏极和源极区的知方法相反。结果，可将高驱动电流能力与减少之浮体效应结合。 | ||
| 申请公布号 | CN101432859B | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN200780014957.X | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·魏;T·卡姆勒;J·亨奇尔;M·霍斯特曼 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成绝缘层上覆硅晶体管的方法，包括下列步骤：形成与栅极电极结构毗邻的凹处，该栅极电极结构包含在半导体层内的侧壁间隔物，该半导体层形成于埋藏绝缘层上；通过选择性外延生长工艺在该凹处中形成第一应变硅/锗材料；在该第一应变硅/锗材料上形成第二应变硅/锗材料，该第二应变硅/锗材料包括P型掺杂物；以及通过离子注入工艺与退火工艺形成与该栅极电极结构毗邻的漏极与源极区，所述漏极与源极区以浮体区界定各自的PN结，所述PN结的一部分位于该第一应变硅/锗材料内。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||