| 发明名称 | 一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺 | ||
| 摘要 | 一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，其特征在于：所述进舟步骤、沉积步骤反应温度均低于800摄氏度。优选的，所述沉积步骤与推进步骤二者至少之一是按温度不同分步进行的。进一步的，所述沉积步骤分为第一步沉积和第二步沉积；所述推进步骤包括第一步推进和第二步推进。优选的，所述进舟步骤和沉积步骤之间还有氧化步骤，所述氧化步骤包括向反应容器内通入氧气。采用本发明所述的低温低表面浓度高方阻扩散工艺，在沉积和扩散步骤相对传统工艺降低了反应温度，从而降低了表面复合速率，同时在多晶硅扩散过程中较低的扩散温度使得杂质更有利于朝吸杂点迁移，进而提高了电池效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102945797A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201210507985.8 | 申请日期 | 2012.12.03 |
| 申请人 | 天威新能源控股有限公司 | 发明人 | 罗柯;姜丽丽;王岩;李丽;林洪峰;路忠林;张凤鸣 |
| 分类号 | H01L21/228(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/228(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 梁田 |
| 主权项 | 一种低温低表面浓度高方阻扩散工艺，包括进舟步骤、沉积步骤、推进步骤和出舟步骤，其特征在于：所述沉积步骤反应温度低于800摄氏度。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区天威路1号 | ||