| 发明名称 | 光电动势装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种光电动势装置，该光电动势装置能够更加提高输出特性。该光电动势装置具有：第一导电型的结晶硅；第二导电型的第一非晶硅层；和配置在结晶硅与第一非晶硅层之间的实质真性的第二非晶硅层，结晶硅在与第二非晶硅层的界面上形成有具有2nm以下的高度的非周期的凹凸形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101271930B | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN200810086840.9 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 寺川朗 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种光电动势装置，其特征在于，包括：第一导电型的结晶硅；第二导电型的第一非晶硅层；和配置在所述结晶硅和所述第一非晶硅层之间的本征的第二非晶硅层，其中所述结晶硅包括：形成有(111)面露出在表面的多个平台部和连接相互邻接的所述平台部的台阶部的结晶硅基板；和在所述结晶硅基板上外延生长的外延层，所述结晶硅，在与所述第二非晶硅层的界面处形成有具有2nm以下的高度的非周期的凹凸形状。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||