发明名称 一种晶体器件
摘要 本发明涉及光学器件领域,尤其涉及一种光学晶体器件。本发明的晶体器件,具体是:在一非线性晶体薄片的两侧的通光面处至少设有两个平行的膜系面,基频光以小角度入射进入该非线性晶体薄片,其中,第一通光面处的第一膜系面在入射光区域为增透介质膜,其他区域为高反介质膜,第二通光面处的第二膜系面在出射光区域为增透介质膜,其他区域为高反介质膜。本发明的晶体器件是一种能消除Walk-Off效应影响的晶体器件。
申请公布号 CN101980073B 申请公布日期 2013.02.27
申请号 CN201010515297.7 申请日期 2010.10.22
申请人 福州高意光学有限公司 发明人 吴砺;任策;林江铭
分类号 G02F1/37(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I 主分类号 G02F1/37(2006.01)I
代理机构 厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 代理人 方惠春
主权项 一种晶体器件,其特征在于:在一非线性晶体薄片(11)的两侧的通光面处至少设有两个平行的膜系面,基频光以小角度入射进入该非线性晶体薄片(11),其中,第一通光面处的第一膜系面在入射光区域(111)为增透介质膜,其他的区域(112)为高反介质膜,第二通光面处的第二膜系面在出射光区域(125)为增透介质膜,其他的区域(124)为高反介质膜;基频光在非线性晶体薄片(11)中进行非线性相互作用产生倍频光,由于walk‑off效应的作用,在传播过程中o光和e光产生分离,o光和e光从非线性晶体薄片(11)出射后被所述的第二通光面处的第二膜系面反射回非线性晶体薄片(11)中,重新回到非线性晶体薄片(11)中的e光和o光在被第一通光面处的第一膜系面的区域(112)上所镀的高反射膜反射前不满足相位匹配条件,不产生倍频光,但是e光由于walk‑off效应与o光靠近并重新重合到一起,重新重合的基频光在区域(112)被反射,并在非线性晶体薄片(11)中发生非线性相互作用并产生倍频光,经过多次反射,基频光和倍频光通过所述的第二通光面处的第二膜系面的出射光区域(125)射出此晶体器件。
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