发明名称 高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件及其制作方法
摘要 本发明公开一种高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件的制作方法,包括:一次离子交换步骤,在玻璃基体上进行第一次离子交换,形成玻璃基体表面的平面光波导;光波导掩埋步骤,在电场以及高温环境下将所述光波导埋到玻璃基体中间,形成掩埋的平面光波导;二次离子交换步骤,在所述玻璃基体的第一侧面上进行第二次离子交换,在所述平面光波导的端口位置形成三维锥形结构。本发明还公开了相应的高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件。本发明可在三维立体方向实现波导的全面锥形化,大大降低光波导的光耦合难度、大幅度提高其光耦合效率、且便于调节其发散角和耦合效率。
申请公布号 CN102944914A 申请公布日期 2013.02.27
申请号 CN201210495418.5 申请日期 2012.11.28
申请人 深圳市中兴新地通信器材有限公司 发明人 高阳
分类号 G02B6/13(2006.01)I;G02B6/134(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I 主分类号 G02B6/13(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高耦合效率的三维锥形端口结构光波导器件的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:一次离子交换步骤,在玻璃基体上进行第一次离子交换,形成玻璃基体表面的平面光波导;光波导掩埋步骤,在电场以及高温环境下将所述光波导埋到玻璃基体中间,形成掩埋的平面光波导;二次离子交换步骤,在所述玻璃基体的第一侧面上进行第二次离子交换,在所述掩埋的平面光波导的端口位置形成三维锥形结构。
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