一种逆导IGBT结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种逆导IGBT结构及其制备方法，包括半导体衬底、衬底正面结构和衬底背面结构，衬底正面结构与现有逆导IGBT结构相同；衬底背面结构包括第三p型区、第四p型区、铝金属层、钒金层、镍金属层和银金属层，所述第三p型区和第四p型区位于半导体衬底的底部，且被半导体衬底部分隔离开，半导体衬底底部依次淀积有铝金属层，钒金属层、镍金属层和银金属层；该逆导IGBT结构的衬底正面结构加工方法与制备常规逆导IGBT结构的相同，其背面加工只有一次离子注入，用钒金属代替原有的钛金属。该逆导IGBT结构导通特性好，“snapback”效应小，总面积小、封装可靠性高，封装成本低；其制备方法简单，加工成本低。

主权项

一种逆导IGBT结构，其特征在于，包括半导体衬底、衬底正面结构和衬底背面结构，所述衬底正面结构位于半导体衬底的正面，衬底背面结构位于半导体衬底的背面；所述衬底正面结构包括第一p型区、第二p型区、第一n+区和第二n+区，所述第一p型区和第二p型区位于半导体衬底的顶面，且被半导体衬底部分隔离开，所述第一n+区位于第一p型区内，第二n+区位于第二p型区内；所述衬底背面结构包括第三p型区、第四p型区、铝金属层、钒金层、镍金属层和银金属层，所述第三p型区和第四p型区位于半导体衬底的底部，且被半导体衬底部分隔离开，所述半导体衬底底部依次淀积有铝金属层，钒金属层、镍金属层和银金属层。