一种带金属帽盖的铜互连结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种带金属帽盖的铜互连结构及其制造方法，包括如下步骤：提供一半导体基底，所述半导体基底上形成有沟槽；在所述沟槽内沉积扩散阻挡层并填充金属铜；在所述沟槽上方形成硅化二铜层；对所述硅化二铜层进行处理，形成CuSiN金属帽盖，覆盖所述沟槽内金属铜；在所述CuSiN金属帽盖及半导体基底表面形成第一刻蚀阻挡层。本发明通过采用新方法制造不同材质的金属帽盖，解决了现有技术中金属帽盖与铜粘附性差的问题，提高了器件可靠性，同时该制造方法可以后续刻蚀阻挡层的制备相兼容，降低了制造成本，提高生产效率。

主权项

一种带金属帽盖的铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底上形成有沟槽；在所述沟槽内沉积扩散阻挡层并填充金属铜；在所述沟槽上方形成硅化二铜层；对所述硅化二铜层进行处理，形成CuSiN金属帽盖，覆盖所述沟槽内金属铜；在所述CuSiN金属帽盖及半导体基底表面形成第一刻蚀阻挡层。