MOS晶体管有效沟道长度测试结构及测试方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构和测试方法，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度，进而准确测量MOS晶体管的有效沟道长度。此外，本发明提供的测试结构中MOS晶体管有源区采用LDD工艺实现，其有源区中仅位于接触通孔下方的区域为重掺杂区域，降低了重掺杂区对LDD横向扩散长度测量的影响，使得测量结果更为准确。本发明提供的测试结构及测试方法对MOS晶体管特征尺寸没有特定的依赖性，能够实现对小尺寸MOS晶体管有效沟道长度的高精度测试。

主权项

一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构，包括第一测试单元和第二测试单元，其特征在于：所述第一测试单元包括三个或三个以上PN结；所述第二测试单元包括两个或两个以上MOS晶体管。