| 发明名称 | 硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。在该硅晶片的表面具备电极(12，13)的半导体装置。此外，包括对晶体硅(11)的表面用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液对晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下的步骤的硅晶片(1)的制造方法以及半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102947948A | 申请公布日期 | 2013.02.27 |
| 申请号 | CN201180030664.7 | 申请日期 | 2011.06.16 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 高木明英;中村昌次;西野光俊;大竹保年 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种硅晶片(1)，该硅晶片(1)通过刻蚀经切割硅晶锭(50)而得到的晶体硅(11)的表面而得到，且对于所述晶体硅(11)的单侧的表面仅刻蚀5μm以上且25μm以下；其中，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||