| 摘要 |
L'invention s'applique à un procédé de projection d'un faisceau électronique utilisé notamment en lithographie par écriture directe ou indirecte ainsi qu'en microscopie électronique. Notamment pour les dimensions critiques ou résolutions inférieures à 50 nm, les effets de proximité créés par la diffusion vers l'avant et vers l'arrière des électrons du faisceau en interaction avec la cible doivent être corrigés. On utilise traditionnellement pour ce faire la convolution d'une fonction d'étalement de point avec la géométrie de la cible. Dans l'art antérieur, ladite fonction d'étalement de point est centrée sur le faisceau et utilise des lois de distribution gaussiennes ou exponentielle. Selon l'invention, au moins une des composantes de la fonction d'étalement de point n'est pas centrée sur le faisceau. Préférentiellement, elle est centrée sur le pic de diffusion vers l'arrière. Avantageusement, la fonction d'étalement de point utilise des lois de distribution gamma. |
