发明名称 定向生长奈米碳管阵列之装置及方法
摘要 本发明公开一种定向生长奈米碳管阵列之装置,其包括:一反应室;一具有正极与负极之直流电源;设置于该反应室内部之一与所述电源之正极相连之第一金属板;一与所述电源之负极相连且与第一金属板相平行之第二金属板;及一处于该第一金属板与第二金属板之间之基底,该基底与该第一金属板及该第二金属板均相间隔。该基底用于形成催化剂之表面与该第二金属板相对。另,本发明还提供一种采用该装置定向生长奈米碳管阵列之方法。本发明生长奈米碳管阵列,其成本较低且易于实现奈米碳管阵列之定向生长。
申请公布号 TWI386511 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW094141534 申请日期 2005.11.25
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 董才士
分类号 C23C16/26;C23C16/44;C01B31/04 主分类号 C23C16/26
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号