发明名称 Entfernung von Ausbuchtungseffekten bei einer Nanomusterung
摘要 <p>Verfahren zur Herstellung einer Nanostruktur, auf der Ausbuchtungen entfernt sind, umfassend die folgenden Schritte:–Ausbilden eines Nanomusters auf einer Oberfläche eines Polymers;–Kontaktieren der Oberfläche des Polymers mit dem Nanomuster mit einem vorbestimmten Lösungsmittel; und–Anwenden einer externen Anregung auf die Oberfläche des Polymers, die in Kontakt mit dem Lösungsmittel steht, um Ausbuchtungen um das Nanomuster herum zu entfernen.</p>
申请公布号 DE102009035615(B4) 申请公布日期 2013.02.21
申请号 DE20091035615 申请日期 2009.07.31
申请人 SNU R&DB FOUNDATION 发明人 SHIN, CHAE HO;JEON, IN SU;KHIM, ZHEONG GOU
分类号 B82B3/00;B82B1/00 主分类号 B82B3/00
代理机构 代理人
主权项
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