| 摘要 |
Bei einer Halbleitervorrichtung, in der eine Diode und ein IGBT in einem Hauptbereich eines Halbleitersubstrates ausgebildet sind, ist ein Abtastbereich mit einem ersten Bereich bereitgestellt, bei dem ein Abstand von einem Ende eines Hauptkatodenbereichs an einer Seite des Abtastbereichs in Draufsicht auf das Halbleitersubstrat 615 μm oder mehr beträgt, um einen hinreichend großen Abtast-IGBT-Strom auf stabile Weise zu erreichen. Alternativ ist der Abtastbereich mit einem zweiten Bereich versehen, bei dem ein Abstand von einem Hauptkatodenbereich in Draufsicht auf das Halbleitersubstrat 298 μm oder weniger beträgt, um einen hinreichend großen Abtastdiodenstrom auf stabile Weise zu erreichen. Der Abtastbereich kann sowohl mit dem ersten Bereich als auch mit dem zweiten Bereich versehen sein.
|
