| 摘要 |
Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers (2), welcher Schaltungen (22) in einer Mehrzahl von Bereichen aufweist, die durch eine Mehrzahl von Straßen (21) auf der vorderen Oberfläche unterteilt werden, und eine Deckschicht (23) auf der vorderen Oberfläche, welche die Schaltungen (22) aufweist, bis zu einer vorbestimmten Dicke ausgebildet aufweist, wobei das Verfahren umfaßt: einen spannungsreduzierenden Schritt zum Reduzieren der Spannung der Deckschicht (23), indem eine Mehrzahl von Nuten bzw. Rillen (231) in der Deckschicht (23) ausgebildet wird, die auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterwafers (2) ausgebildet wird; einen Schleifschritt eines Bearbeitens der rückwärtigen Oberfläche des Halbleiterwafers (2), indem nach dem spannungsreduzierenden Schritt auf eine vorbestimmte Dicke geschliffen wird; und einen Schritt zum Zerteilen nach dem Schleifschritt, bei dem der Halbleiterwafer (2) entlang der Straßen (21) durch eine Zerteilungsmaschine in individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips unterteilt wird.
|
