发明名称 |
一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO<sub>2</sub>薄膜及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜及制备方法,其薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成,并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层,该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应;其该薄膜具体结构为:TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III,以此类推。本发明的薄膜对太阳光不同波段范围均有响应,从而增强光敏化层的稳定性、提高光电转化效率,使敏化太阳能电池的使用寿命得到延长,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN102938330A |
申请公布日期 |
2013.02.20 |
申请号 |
CN201210421655.7 |
申请日期 |
2012.10.26 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
丁旵明;梁培培;徐传粉 |
分类号 |
H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I |
主分类号 |
H01G9/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海蓝迪专利事务所 31215 |
代理人 |
徐筱梅;张翔 |
主权项 |
一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜,其特征在于:该薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成,并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层,该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应;其该薄膜具体结构为:TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III,以此类推;其中窄能带隙无机半导体I的能带隙小于TiO2且导带能量高于TiO2,窄能带隙无机半导体II的能带隙小于窄能带隙无机半导体I且导带能量高于窄能带隙无机半导体I,窄能带隙无机半导体III的能带隙小于窄能带隙无机半导体II且导带能量高于窄能带隙无机半导体II,以此类推。 |
地址 |
200241 上海市闵行区东川路500号 |