发明名称 一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO<sub>2</sub>薄膜及制备方法
摘要 本发明公开了一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜及制备方法,其薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成,并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层,该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应;其该薄膜具体结构为:TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III,以此类推。本发明的薄膜对太阳光不同波段范围均有响应,从而增强光敏化层的稳定性、提高光电转化效率,使敏化太阳能电池的使用寿命得到延长,降低生产成本。
申请公布号 CN102938330A 申请公布日期 2013.02.20
申请号 CN201210421655.7 申请日期 2012.10.26
申请人 华东师范大学 发明人 丁旵明;梁培培;徐传粉
分类号 H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I 主分类号 H01G9/20(2006.01)I
代理机构 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人 徐筱梅;张翔
主权项 一种具有宽谱带吸收的无机半导体敏化TiO2薄膜,其特征在于:该薄膜由多种具有不同窄能带隙的无机半导体纳米晶共同敏化的TiO2纳米线阵列组成,并在TiO2纳米线表面形成一种梯度能带隙覆盖层,该覆盖层对太阳光不同波段范围均有响应;其该薄膜具体结构为:TiO2纳米线/窄能带隙无机半导体I/窄能带隙无机半导体II/窄能带隙无机半导体III,以此类推;其中窄能带隙无机半导体I的能带隙小于TiO2且导带能量高于TiO2,窄能带隙无机半导体II的能带隙小于窄能带隙无机半导体I且导带能量高于窄能带隙无机半导体I,窄能带隙无机半导体III的能带隙小于窄能带隙无机半导体II且导带能量高于窄能带隙无机半导体II,以此类推。
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