半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供具有铜区和非铜区的基底，将基底蚀刻除去来自铜区的任何铜氧化物，然后选择性地形成介电盖层在基底的铜区上方，使得基底的非铜区上方很少或无介电盖层形成。因此，本发明提出的半导体元件的制造方法可降低铜原子在经过一段时间或在半导体结构操作的期间从金属内连线迁移并造成元件失效的机率。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，具有第一区域以及第二区域，其中该第一区域包括第一介电材料，且该第二区域包括铜；在基本无氧的环境下处理该基底，以除去在该第二区域内的铜氧化物；以及形成盖层在该基底上方，其中该盖层包括第二介电材料，且该第二介电材料选择性地在该基底的第二区域上方形成，以致在该基底的第一区域上方基本无该第二介电材料，其中形成该盖层的步骤包括化学气相沉积法，该化学气相沉积法在包含硅烷及前驱气体的气体环境中进行，该前驱气体选自由烷烃及含氮化合物所组成的群组。