| 发明名称 | 用于抛光大体积硅的组合物及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了包含以下的抛光组合物：(a)二氧化硅、(b)一种或多种提高硅移除速率的化合物、(c)一种或多种四烷基铵盐、和(d)水，其中，该抛光组合物具有7至11的pH值。本发明进一步提供了用该抛光组合物抛光基板的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102939643A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201180029365.1 | 申请日期 | 2011.04.06 |
| 申请人 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 发明人 | B.赖斯;M.怀特;L.琼斯;J.克拉克 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邢岳 |
| 主权项 | 用于抛光硅晶片的边缘的方法，其中该边缘基本上由硅组成，该方法包括：(i)使基板与抛光垫及基本上由以下组成的化学机械抛光组合物接触：(a)0.5重量%至20重量%的湿法二氧化硅，(b)0.01重量%至5重量%的有机羧酸，(c)0.0005重量%至2重量%的氨基膦酸，(d)0.01重量%至5重量%的四烷基铵盐，(e)氢氧化钾，(f)任选的碳酸氢盐，及(g)水，其中该抛光组合物具有7至11的pH值，(ii)使该抛光垫相对于该硅晶片的边缘移动，其中该化学机械抛光组合物位于其间，及(iii)磨除该边缘的至少一部分以抛光该硅晶片的所述边缘。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||