多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器

摘要

一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。多晶硅电阻器结构制造方法包括：在硅片中形成隔离区；在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁及第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成隔离物及第二多晶硅层，其中所述隔离物与第二多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端；在第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述隔离物与第三多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端，且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入；利用金属布线连接处于第一多晶硅层两端暴露端和第二多晶硅层两端暴露端；第一多晶硅层所形成的电阻与第二多晶硅层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值。

主权项

一种多晶硅电阻器结构制造方法，其特征在于包括：第一步骤，用于在硅片中形成隔离区；第二步骤，用于在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁以及第一多晶硅层；第三步骤，用于在第一多晶硅层上形成隔离物；第四步骤，用于在隔离物上形成第二多晶硅层，其中第二多晶硅层及其与第一多晶硅层之间的隔离物不完全覆盖第一多晶硅层的两端；第五步骤，用于在所述第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述第三多晶硅层及其与第二多晶硅层之间的隔离物不完全覆盖第一多晶硅层的两端，并且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；第六步骤，用于以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入，金属硅化物形成过程，以便在第一多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第一多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物，并且在第二多晶硅层的暴露的两端的表面形成金属硅化物，并且使第二多晶硅层的未暴露的部分的表面不形成金属硅化物；以及第七步骤，用于利用金属布线连接处于第一多晶硅层的两端的暴露端和第二多晶硅层的两端的暴露端；第一多晶硅层与第二多晶硅层所形成的叠层电阻结构利用电连接位于同一方向的第一、第二多晶硅层的金属硅化物端，通过串联的方式电连接以得到更大的电阻值。