发明名称 |
驱动功率场效应晶体管的系统及方法 |
摘要 |
提供了一种用于驱动功率场效应晶体管(FET)的系统和方法。在一个实施例中,系统包括控制电路(54),其产生控制信号(56)以提供功率FET的栅极电压。该系统进一步包括耦连在控制电路和功率FET之间的斜率控制电路(62),其可操作用于动态地控制功率FET的栅极电压的变化率,以降低由开关功率FET产生的电磁干扰(EMI)辐射和功率损耗。 |
申请公布号 |
CN101501601B |
申请公布日期 |
2013.02.20 |
申请号 |
CN200680023147.6 |
申请日期 |
2006.04.28 |
申请人 |
德克萨斯仪器股份有限公司 |
发明人 |
J·A·科胡特;D·J·鲍德温 |
分类号 |
H03K17/16(2006.01)I;G05F1/40(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I;H03K17/56(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I;H02H7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种用于驱动功率场效应晶体管的系统,其包括:控制电路,其产生控制信号以提供所述功率场效应晶体管的栅极电压;和斜率控制电路,其耦连在所述控制电路和所述功率场效应晶体管之间,该斜率控制电路可操作用于动态控制所述功率场效应晶体管的栅极电压的变化率,以降低由开关所述功率场效应晶体管产生的电磁干扰EMI辐射和功率损耗;其中所述斜率控制电路包括使所述功率场效应晶体管的栅极终端和电流镜互连的开关,所述电流镜在所述开关闭合时提供最小恒定电流以降低所述功率场效应晶体管的所述栅极电压的变化率。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |