半导体器件及半导体器件的制造方法

摘要

本发明的一个实施方式的目的是制造一种电特性的变动小且可靠性高的半导体器件，其中包括使用氧化物半导体的晶体管。在包括氧化物半导体层的晶体管中，在顶栅结构的情况下使用氧过剩的氧化硅（SiOx（X>2））作为基底绝缘层。通过使用氧过剩的氧化硅，氧从绝缘层放出，并且可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷以及基底绝缘层或保护绝缘层与氧化物半导体层之间的界面态密度，从而可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；栅电极；氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；设置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；以及夹着所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘层相对的绝缘层，其中，所述绝缘层与所述氧化物半导体层接触，并且，所述绝缘层的单位体积的氧原子数多于所述绝缘层的单位体积的硅原子数的两倍。