一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法

摘要

一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法，它涉及一种氟化钇薄膜的制备方法。它解决了现有制备氟化钇薄膜的方法存在缺氟导致的光学常数畸变，薄膜易脱落，结构不稳定与光学性能差的问题。方法：ZnS衬底用丙酮、酒精清洗、去离子水清洗，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，抽真空并加热；向真空仓通Ar气，对ZnS衬底表面进行反溅清洗；反溅清洗后预溅射，再镀膜；镀膜完成后抽真空并加热，降至室温即完成。本发明利用磁控溅射法制备出氧稳定氟化钇薄膜，改善了缺氟导致的光学常数的畸变，同时阻止了薄膜的脱落与破裂，氧稳定氟化钇薄膜具有较好的光学性能，消光系数大大减小，折射率较低，具有优良的稳定性，膜层结合牢固。

主权项

一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法，其特征在于氧稳定氟化钇薄膜的制备方法按以下步骤实现：一、将ZnS衬底用丙酮超声波清洗15～30min，用酒精清洗15～30min，然后用去离子水清洗30min，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，通过真空获得系统将真空仓内抽成真空至真空度为1.0×10‑4～9.9×10‑4Pa，然后加热至25～1000℃并保温30～120min；二、向真空仓通入Ar气至真空仓内压强为3～5Pa，对ZnS衬底表面进行反溅清洗10～20min；三、反溅清洗后，施加溅射功率启辉，溅射功率为60～500瓦，预溅射20～50min，然后开启O2流量剂开关，O2流量控制在1sccm～100sccm，至真空仓内气体压强为0.1～2Pa后采用氟化钇靶材向ZnS衬底表面镀氟化钇薄膜，镀膜1～3h后关闭O2流量剂开关，继续镀膜10～300min；四、镀膜完成后抽真空到2.0×10‑4Pa并升温至200～1000℃，保温2～5h，待真空仓内温度降至室温，即完成氧稳定氟化钇薄膜的制备。