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发明名称
Substrate for growing wurtzite type crystal and method for manufacturing the same and semiconductor device
摘要
申请公布号
EP2175054(A3)
申请公布日期
2013.02.20
申请号
EP20090012656
申请日期
2009.10.06
申请人
CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人
ITAGAKI, NAHO;IWASAKI, TATSUYA;HOSHINO, KATSUYUKI
分类号
C30B29/40;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/38
主分类号
C30B29/40
代理机构
代理人
主权项
地址
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