横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，该制造方法包含：形成虚置栅极于基材上；形成源极及漏极于基材上的虚置栅极两侧；形成第一硅化物于源极上；形成第二硅化物于漏极上，以使源极或漏极至少其一的未硅化区与虚置栅极相邻，漏极的未硅化区提供一阻抗区，能足以负载高电压横向扩散金属氧化物半导体导体应用所需的电压；对虚置栅极进行栅极替换工艺以形成栅极。本发明实施例所提供的制造方法，因为其无需在栅极区域形成硅化物，因而具有较佳的工艺控制。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括：形成一虚置栅极于一基材上；形成一源极及一漏极于该基材上的该虚置栅极两侧；形成一第一硅化物于该源极上及一第二硅化物于该漏极上，且仅于该源极和该漏极的其中之一留下与该虚置栅极相邻的一未硅化区，以提供一能负载高电压横向金属氧化物半导体导体应用所需电压的阻抗区；以及对该虚置栅极进行一替换栅极工艺，以形成栅极。