| 发明名称 | 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法 | ||
| 摘要 | 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。 | ||
| 申请公布号 | CN102938409A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201210442007.X | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 闫锋;马浩文;沈忱;卜晓峰;吴福伟;夏好广;张佳辰 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 徐激波 |
| 主权项 | 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，其特征是每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||