一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法

摘要

本发明涉及一种制备碳化硅(SiC)纳米带的方法，在SiC陶瓷表面制备SiC纳米带的方法。该方法以Si粉、C粉和SiO2粉为原料，同时引入二茂铁作为催化剂，采用化学气相沉积法在SiC陶瓷表面一次性制备出大量的纯SiC纳米带。该方法可以简单、低成本、高效地制备大量的纯SiC纳米带，而且通过调整制备工艺可以对纳米带的形貌和尺寸进行控制。

主权项

一种在SiC陶瓷表面制备碳化硅纳米带的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将质量百分比为10～15%的Si粉、15～30%的C粉、40～70%的SiO2粉和5～15%的二茂铁粉进行混合，然后置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2～4小时；步骤2：将步骤1的混合粉料均匀铺满石墨坩埚底部，用一束3k碳纤维捆绑SiC陶瓷片后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方；步骤3：将石墨坩埚放入石墨为发热体的热压真空反应炉中，对真空炉进行真空处理后，通Ar至常压，以5～10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600～1800℃，保温1～3小时，关闭电源自然冷却至室温；整个过程中通Ar保护；步骤4：取出石墨坩埚，清理SiC陶瓷片上的碳纤维，在SiC陶瓷片上得到SiC纳米带。