| 发明名称 | 一种改进芯片切割的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改进芯片切割工艺的方法，所述方法包括如下步骤：在待切割的芯片表面的钝化层上涂覆光刻胶；刻蚀晶片表面的钝化层，露出焊垫表面，剥离光刻胶；对露出的金属层进行氧化，生成金属氧化层。所述方法还包括对芯片进行电性验收测试；对芯片外观进行检查；以及进行芯片切割的步骤。根据本发明的方法改进了芯片的切割，减少了硅粉尘对焊垫的污染，特别是对表面Al层的污染，抑制了贾凡尼效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102024752B | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN200910195970.0 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张京晶;王会卿 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种改进芯片切割工艺的方法，所述方法包括如下步骤：在待切割的芯片表面的钝化层上涂覆光刻胶，进行曝光显影；刻蚀晶片表面的钝化层，露出焊垫表面，剥离光刻胶；采用纯氧对露出的金属层进行氧化，生成金属氧化层，以减少硅粉尘对焊垫的污染，抑制贾凡尼效应；对芯片进行电性验收测试；对芯片外观进行检查；进行芯片切割。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||