| 主权项 |
一种光刻机真空曝光装置，其特征在于包括：掩模台(1)、掩模板(2)、硅片(3)、密封胶圈(4)、承片台(5)、两个气嘴(6)、柔性铰链(7)、升降台(8)、第一气嘴(9)和真空气嘴(10)；掩模板(2)放在掩模台(1)上，硅片(3)放在承片台(5)上，密封胶圈(4)套在承片台(5)的外侧，承片台(5)通过柔性铰链(7)与升降台(8)相连；掩模台(1)位于承片台(5)上方，掩模台(1)上开有第一V形槽(11)，承片台(5)上设有N个第二V形槽，通过对在掩模台(1)上的第一V形槽(11)与承片台(5)上的N个第二V形槽进行抽真空操作，使硅片(3)与掩模板(2)有良好接触；根据硅片的尺寸大小确定第二V形槽的数量为N≥3；所述掩模台(1)为正方形并在其四周设有穿透掩模台(1)的第一V形槽(11)，第一V形槽(11)为四方形结构，第一V形槽(11)具有两侧壁，并在第一V形槽(11)的一侧壁上设有一个穿透掩模台(1)的圆孔，在穿透掩模台(1)的圆孔口端装有一第一气嘴(9)供掩模台(1)抽真空用；当掩模板(2)放在掩模台(1)上时，掩模板(2)将掩模台(1)上的第一V形槽(11)完全覆盖住，并通过第一气嘴(9)对掩模台(1)进行抽真空，使掩模板(2)将会被牢固的吸在掩模台(1)上；当掩模板(2)与硅片(3)接触时不会被硅片(3)顶跑、顶偏而产生位移；所述承片台(5)上的N个第二V形槽为不穿透承片台(5)的V形槽，两个圆形孔(51、52)穿透承片台(5)，在两个圆形孔(51、52)下方各固接有一个气嘴(6)，以供承片台(5)抽真空用，硅片(3)放在承片台(5)上面时，会将承片台(5)表面上的N个第二V形槽遮盖住，此时，通过两个气嘴(6)对承片台(5)进行抽真空，硅片(3)将会被牢固的吸在承片台(5)上，当硅片(3)与掩模板(2)接触时不会产生位移；所述密封胶圈(4)是套在承片台(5)的外侧，并且密封胶圈(4)略高于承片台(5)，密封胶圈(4)高度的余量既要保证硅片(3)在 上升贴近掩模台(1)时密封胶圈(4)的胶皮不起皱打折，使硅片(3)与掩模板(2)有良好接触，又要保证胶皮在贴近掩模台(1)时翻开并与掩模台(1)贴紧有良好的密封性，在通过真空气嘴(10)抽真空时保证掩模板(2)与硅片(3)之间有足够的真空度，并且密封胶圈(4)也可以防止硅片(3)与掩模台(1)的硬接触而损坏硅片(3)。 |
