发明名称 |
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件 |
摘要 |
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件,所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构,包括:N+型衬底,在N+型衬底上设有N型过渡外延层,在N型过渡外延层上设有N-型外延层,在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区,且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵,在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层,所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐,金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵,所述P型结终端采用梯形结构,且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布,从而有效地改善器件反向特性,并提高器件可靠性。 |
申请公布号 |
CN102938421A |
申请公布日期 |
2013.02.20 |
申请号 |
CN201210455201.1 |
申请日期 |
2012.11.14 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
刘斯扬;杨超;张春伟;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/872(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
柏尚春 |
主权项 |
一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件,所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构,包括:N+型衬底(1),在N+型衬底(1)上设有N型过渡外延层(2),在N型过渡外延层(2)上设有N‑型外延层(3),在N‑型外延层(3)的内部上方设有2个P型结终端(4)和4个等间距的P+型体区(5),且2个P型结终端(4)的内边与邻近的2个P+型体区(5)的外边相抵,在N‑型外延层(3)的上表面设有2个场氧化层(6)和金属层(7),所述2个P型结终端(4)的内边界分别与2个场氧化层(6)的内边界对齐,金属层(7)的2个边界分别与2个场氧化层(6)的内边界相抵,其特征在于,P型结终端(4)采用梯形结构,且外边长于内边。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 |