半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法

摘要

一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，工艺步骤：采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+5′(N2)技术在预留的磷穿透区域进行磷预扩散；采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+H2)+10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。本发明通过磷穿透工艺技术将分立器件不同表面的电极引至同侧，使分立器件芯片直接使用于整机成为可能。该工艺将分立器件产品制作成理论最小尺寸，进而进一步加快电子产品小型化、便携化的进程。同时减少了芯片封装二次加工环节，大大提升器件的可靠性。

主权项

一种半导体分立器件晶圆级封装的磷穿透工艺方法，其特征在于包括以下步骤：a ）重新设计分立器件的结构：在常规分立器件局部或本体的周边设计磷穿透区域，为磷穿透工艺技术预留空间； b ）采用磷扩散工艺3′(N2)+19′(N2+POCl3)+ 5′(N2)，在预留的磷穿透区域进行磷预扩散； c ）采用常规氧化扩散工艺10′(O2)+（20~120）′(O2+ H2)+ 10′(O2)进行磷再扩散工艺，将设计好的穿透区域扩散出预订电阻值(0.8~20.0Ω)的磷掺杂区域，实现芯片背面电极引至正面。