| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明是提供一种避免开关元件造成的高温的不良影响，且将防止失效的电路与开关元件配置在同一基板上的半导体装置。本发明在基板(5)上的导电体图案(51、52)上分别靠近地配置有N信道型的MOSFET(10)、以及N信道型且半导体材料由碳化硅构成的JFET(30)，且由引线(61)连接MOSFET(10)的栅电极(13)与JFET(30)的漏电极(31)。当对MOSFET(10)进行接通/断开控制的来自外部的驱动信号在JFET(30)的源电极(32)以及漏电极(31)间传播时，通过根据源电极(32)以及栅电极(33)间的栅极电压的低/高，使JFET(30)的信道电阻进行大/小变更，而使MOSFET(10)的漏电极(11)以及源电极(12)间的开关波形的前缘与后缘相比成为平缓的倾斜。 | ||
| 申请公布号 | CN102939650A | 申请公布日期 | 2013.02.20 |
| 申请号 | CN201180002137.5 | 申请日期 | 2011.02.23 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 泽田研一 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 谢丽娜;关兆辉 |
| 主权项 | 一种半导体装置，在基板上具有绝缘栅型的开关元件、及传播控制该开关元件的接通/断开的控制信号的半导体电路，其特征在于：上述半导体电路含有由带隙大于硅的半导体构成的一个或多个半导体元件，该半导体元件以使上述控制信号传播时的电阻的大/小可变的方式构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||