| 摘要 |
1. Способ изготовления штампов для наноимпринт литографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, включающий осаждение на поверхность заготовок для штампа технологического слоя, нанесение на технологический слой чувствительного к выбранному виду излучения резиста, экспонирование резистивного слоя, проявление резистивного слоя с получением резистивной маски, плазменную зачистку резистивной маски, проведение анизотропного высокоселективного травления технологического слоя через полученную резистивную маску, удаление остатков резистивной маски, проведение высокоселективного анизотропного травления поверхности заготовки для штампа через маску из технологического слоя на необходимую глубину с образованием рабочей поверхности штампа, травление окружающей рабочую поверхность штампа поверхности заготовки для штампа на необходимую глубину с образованием пьедестала штампа и очистку поверхности штампа от остатков технологического слоя и других загрязнений, отличающийся тем, что в качестве заготовок для штампа используют специальные круглые пластины, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с аналогичными проектными нормами, на которые необходимую топологию переносят на установках для проекционной фотолитографии, имеющих необходимое для создания штампа разрешение и уменьшающих переносимое изображение в N раз, с использованием изготовленного с применением высокоразрешающего электронно-лучевого либо ионно-лучевого генератора изображений фотошаблона для проекционной фотолитографии с увеличен |
