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Una memoria que comprende: un sustrato (301) en un primer plano; una primera conexión metálica (320) que se extiende en un segundo plano, siendo el segundo planosustancialmente perpendicular al primer plano; una primera unión (365) de túnel magnético MTJ que tiene una primera capa (362), una segunda capa(363) y una tercera capa (364), estando acoplada la primera capa (362) con la primera conexión metálica(320) de tal modo que la primera capa (362) de la MTJ (365) esté orientada a lo largo del segundo plano,estando también orientadas las capas segunda (363) y tercera (364) a lo largo del segundo plano; y caracterizada por un primer agujero metalizado (370, 375) de interconexión que se extiende en el segundo plano desplazadocon respecto a la primera conexión metálica (320) y acoplado con la tercera capa (364) de la primera MTJ(365) y configurado para dirigir el flujo de corriente en una dirección orientada a lo largo del primer plano,entre la primera conexión (320) y el agujero (370, 375) de interconexión a través de las capas primera(362), segunda (363) y tercera (364) de la primera MTJ (365).
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