发明名称 离子溅射镀膜装置
摘要 本实用新型公开了一种离子溅射镀膜装置,包括真空镀膜室及位于所述真空镀膜室一侧的用于发射溅射离子的等离子发射装置,所述真空镀膜室的内空间容置有的位于真空镀膜室顶部的基板、位于真空镀膜室底部的托盘、位于所述托盘上的靶材及位于托盘一侧的辅助离子发射装置,所述辅助离子发射装置的发射口正对于基板板面,所述等离子发射装置的端口与真空镀膜的内空间连通,且等离子发射装置的端口绕有发射电磁线圈,本实用新型结构简单、靶材的利用率高、能够有效的抑制靶材表面拉弧放电,溅射沉积的稳定好,实用性强,具有广阔的市场空间。
申请公布号 CN202730223U 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201220382645.2 申请日期 2012.08.03
申请人 晋谱(福建)光电科技有限公司 发明人 卜轶坤;关振奋;张慎兴;吴冠伟;刘森山
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 福州市鼓楼区博深专利代理事务所(普通合伙) 35214 代理人 林志峥
主权项 一种离子溅射镀膜装置,其特征在于,包括真空镀膜室及位于所述真空镀膜室一侧的用于发射溅射离子束的等离子发射装置,所述真空镀膜室的内空间容置有的位于真空镀膜室顶部的基板、位于真空镀膜室底部的托盘、位于所述托盘上的靶材及位于托盘一侧的辅助离子发射装置,所述辅助离子发射装置的发射端口正对于基板板面,所述等离子发射装置的端口与真空镀膜的内空间相连通,且等离子发射装置的端口绕有发射电磁线圈。
地址 351115 福建省莆田市涵江区江口镇锦江西路2899号