发明名称 一种CVD反应腔体的清洁方法和系统
摘要 本发明公开了一种CVD反应腔体的清洁方法和系统,包括:将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内,并将隔离片覆盖于所述硅片承载台上,隔离片可抗强酸腐蚀;向反应腔体内通入清洁气体,以对CVD反应腔体进行清洁;清洁完成后,将隔离片转移至隔离片腔体内。当向反应腔体内通入清洁气体后,由于隔离片的阻隔,清洁气体不会腐蚀硅片承载台,从而延长了硅片承载台的使用寿命。
申请公布号 CN102925874A 申请公布日期 2013.02.13
申请号 CN201110227403.6 申请日期 2011.08.09
申请人 无锡华润上华科技有限公司 发明人 朱晓军
分类号 C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮;李辰
主权项 一种CVD反应腔体的清洁方法,其特征在于,包括:将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内,并将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上,所述隔离片可抗强酸腐蚀;向所述反应腔体内通入清洁气体,以对所述CVD反应腔体进行清洁;清洁完成后,将所述隔离片转移至所述隔离片腔体内。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号