发明名称 | 电离层的压缩层析成像方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电离层的压缩层析成像方法(Computerized Ionosphere Tomography,CIT),包括:步骤一:计算投影矩阵;步骤二:基于GPS原始数据计算TEC;步骤三:选择稀疏变换;步骤四:构造稀疏约束的优化目标函数;步骤五:求解步骤四所得的优化函数,完成电离层层析成像。本发明方法解决了传统电离层层析成像由于有限的观测数据导致的成像结果不确定的问题。该技术基于电离层电子密度分布的可压缩性(或可稀疏性),实现基于有限观测数据的高精度电离层成像。 | ||
申请公布号 | CN102930562A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
申请号 | CN201110228343.X | 申请日期 | 2011.08.10 |
申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 李芳;李廉林;刘艳丽 |
分类号 | G06T11/00(2006.01)I | 主分类号 | G06T11/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种电离层的压缩层析成像方法,其特征在于通过稀疏的电离层TEC观测数据实现电离层电子密度的高分辨率成像,包括步骤:步骤一:计算投影矩阵;步骤二:基于GPS原始数据计算TEC;步骤三:选择稀疏变换;步骤四:构造稀疏约束的优化目标函数;步骤五:求解步骤四所得的优化函数,完成电离层层析成像。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区北四环西路19号 |