| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体装置的方法，包括：通过干法蚀刻去除在含Ni硅化物层上表面形成的绝缘层，由此使含Ni硅化物层至少部分地露出；以及使用具有还原作用的还原水清洗含Ni硅化物层的露出部。 | ||
| 申请公布号 | CN101819931B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201010119463.1 | 申请日期 | 2010.02.23 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 中山知士;笠间佳子;藤仓荣一;菊池敦志 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，其包含：通过干法蚀刻去除在含Ni硅化物层上形成的绝缘层，从而使所述含Ni硅化物层至少部分地露出；以及使用还原水清洗所述含Ni硅化物层的露出部，其中所述还原水是碱性还原性水溶液，且其中所述还原水是包含0.01ppm以上且1000ppm以下氨的富氢水或电解还原水。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||