| 发明名称 | 具有改进的体到栅极对准的沟槽FET | ||
| 摘要 | 如下形成场效应晶体管。在第一导电类型的半导体区域中形成沟槽。用一种或多种材料部分地填充每个沟槽。执行双通角度注入以通过半导体区域的上部表面和未被一种或多种材料覆盖的上部沟槽侧壁将第二导电类型的杂质注入到半导体区域中。执行高温处理以将注入的杂质更深地推进到台地区域中从而在相邻沟槽之间形成第二导电类型的体区域。之后在每个体区域中形成第一导电类型的源极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101529581B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN200780039592.6 | 申请日期 | 2007.10.16 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 内森·L·克拉夫特;阿肖克·沙拉;史蒂文·P·萨普;哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;帝恩·E·普罗布斯特;罗德尼·S·里德利;托马斯·E·格雷布斯;克里斯托弗·B·科康;约瑟夫·A·叶季纳科;加里·M·多尔尼 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种形成场效应晶体管的方法，包括：在第一导电类型的半导体区域中形成沟槽；用一种或多种材料部分地填充每个沟槽；执行双通角度注入，以通过所述半导体区域的上部表面以及通过未被所述一种或多种材料覆盖的上部沟槽侧壁，将第二导电类型的杂质注入到所述半导体区域中，执行高温处理以将注入的杂质更深地推进到台地区域中，从而在相邻沟槽之间形成所述第二导电类型的体区域；以及在每个体区域中形成所述第一导电类型的源极区域。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||