| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体装置具备在半导体基板上形成的多晶硅膜和在上述多晶硅膜上形成的金属硅化物膜。实施方式的半导体装置具备在上述硅化物膜上形成的上述金属氧化膜和在上述氧化膜上形成的包含钨或钼的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102931236A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210067195.2 | 申请日期 | 2012.03.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 尾本诚一 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘瑞东;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体基板上形成的多晶硅膜；在上述多晶硅膜上形成的金属的硅化物膜；在上述硅化物膜上形成的上述金属的氧化膜；和在上述氧化膜上形成的包含钨或钼的膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||