一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法

摘要

本发明的目的在于提供抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法，包括在半导体衬底上通过刻蚀形成沟槽；在沟槽中淀积一定厚度的牺牲层；刻蚀去除沟槽底部的牺牲层；在沟槽中淀积填充二氧化硅；通过湿法腐蚀选择去除牺牲层，形成空气间隙层。本发明可提供一种降低制造成本、提高器件及电路可靠性，解决了由于辐射所引起泄漏电流增大问题的一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法。

主权项

一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、提供一半导体衬底（1），在该半导体衬底上通过刻蚀向下形成STI沟槽（2）；步骤2、在STI沟槽（2）中及该半导体衬底（1）的表面淀积牺牲层（4）；步骤3、对具有牺牲层（4）的STI沟槽（2）及半导体衬底（1）的表面进行光刻蚀，去除STI沟槽（2）底部和半导体衬底（1）表面的牺牲层（4），露出底层半导体衬底（1）；步骤4、进行浅槽氧化层填充淀积，通过低压化学气相淀积的方法在STI沟槽（2）中淀积二氧化硅，使其覆盖STI沟槽（2），形成浅槽氧化层填充层（6），再用化学机械抛光去除多余的二氧化硅，获得平坦的表面；步骤5、利用腐蚀剂对牺牲层（4）进行湿法腐蚀，去除STI沟槽（2）侧墙牺牲层（5），形成具有厚度的空气间隙层（7）。