一种多晶硅还原炉自动控制启炉方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅还原炉自动控制启炉方法，采用顺序控制的方法实现自动启炉，过程主要包括氮气置换、硅芯击穿、氢气置换、氢气空烧及三氯氢硅进料。自动控制启炉过程使还原炉的运行更加稳定，气体的置换更加充分，同时也节省了大量的人力和操作时间。

主权项

一种多晶硅还原炉自动控制启炉方法，其特征是：采用顺序控制的方法，按如下具体步骤要求实现自动启炉：1)氮气置换：打开氮气切断阀(3)，打开调节阀(7)，设置氮气流量为30Nm3/h，将还原炉内送入氮气充压，当压力上升至0.4MPa时，关闭调节阀(7)，打开去废气处理切断阀(4)，打开尾气调节阀(8)，当压力下降至0.1MPa时，关闭尾气调节阀(8)，关闭氮气切断阀(3)，氮气充放置换的次数根据需要循环进行；2)硅芯击穿：通过通信方式启动硅芯击穿电气系统，并返回硅芯击穿信号；3)氢气置换：打开氢气切断阀(2)，打开调节阀(7)，设置氢气流量为40Nm3/h，将还原炉内送入氢气充压，当压力上升至0.4MPa时，关闭调节阀(7)，打开打开尾气调节阀(8)，当压力下降至0.1MPa时，关闭尾气调节阀(8)，氢气充放置换的次数根据需要循环进行；4)氢气空烧：打开调节阀(7)，设置氢气流量为60Nm3/h，关闭去废气处理切断阀(4)，打开去尾气回收切断阀(5)，将还原炉尾气切换至尾气回收系统，然后保持氢气通入还原炉空烧10‑20分钟；5)三氯氢硅进料：打开三氯氢硅切断阀(1)，打开三氯氢硅调节阀(6)，设置所需的三氯氢硅流量和氢气流量，则三氯氢硅与氢气混合并通入还原炉，开始进行化学气相沉积反应，在炉内高温的硅芯表面沉积生产多晶硅。