外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种外延结构，包括：衬底；低温GaN缓冲层；高温GaN缓冲层；N型GaN层；浅量子阱；发光层多量子阱；非掺杂AlGaN层；低温P型GaN层；高温P型AlGaN层；高温P型GaN层；和P型GaN接触层。还提供一种外延结构的生长方法，包括：提供衬底；生长低温GaN缓冲层；对所述低温GaN缓冲层原位进行热退火处理，退火之后生长高温不掺杂GaN层；生长N型氮化镓层；生长低温浅量子阱；生长发光层多量子阱结构；生长非掺杂AlGaN层；生长低温P型GaN层；生长高温P型AlGaN层；在高温P型AlGaN层之上，生长高温P型GaN层；和在高温P型GaN层之上，生长P型接触层。获得更高发光强度的GaN基LED发光二极管。

主权项

一种外延结构，包括：衬底，其为适合GaN及其半导体外延材料生长的材料；低温GaN缓冲层；高温GaN缓冲层；N型GaN层；浅量子阱；发光层多量子阱；非掺杂AlGaN层；低温P型GaN层；高温P型AlGaN层；高温P型GaN层；和P型GaN接触层。