集成电路中通孔的制作方法

摘要

本发明公开了一种集成电路中通孔的制作方法，包括依次制作由下到上的金属层、金属覆盖层、第一介质层和第一介质抗反射层，之后在所述第一介质抗反射层上面制作第二介质层，在所述第二介质层上面制作第二抗反射层，然后在所述第二抗反射层上涂布光刻胶，通过光刻与刻蚀工艺制作出贯穿至所述金属覆盖层的通孔，然后去除光刻胶和所述第二抗反射层，淀积通孔的填充物，再对填充物和所述第二介质层进行回刻，使得所述第二介质层被去除后，所述填充物的高度仍然高于第一抗反射层的上表面，之后再涂布光刻胶，制作更上一层的结构。本发明使得通孔的填充物位置高于第一抗反射层，从而避免了后续工艺中光刻胶在通孔中的残留，改善了后续布线槽刻蚀的工艺控制。

主权项

一种集成电路中通孔的制作方法，其特征在于，包括依次制作由下到上的金属层、金属覆盖层、第一介质层和第一介质抗反射层，之后在所述第一介质抗反射层上面制作第二介质层，在所述第二介质层上面制作第二抗反射层，然后在所述第二抗反射层上涂布光刻胶，通过光刻与刻蚀工艺制作出贯穿至所述金属覆盖层的通孔，然后去除光刻胶和所述第二抗反射层，淀积通孔的填充物，再对填充物和所述第二介质层进行回刻，通过控制填充物和第二介质层淀积的厚度以及刻蚀选择比，使得所述第二介质层被去除后，所述填充物的高度仍然高于第一抗反射层的上表面，之后再涂布光刻胶，制作更上一层的结构。