| 发明名称 | 在硅外延薄膜形成时使用氯气和/或氯化氢 | ||
| 摘要 | 在第一方面中，本发明提供一种在基板上形成一外延薄膜的第一方法。该第一方法包含(a)提供基板；(b)将该基板暴露在至少一硅来源中，以在该基板的至少一部份上形成外延薄膜；以及(c)将该基板暴露在氯化氢气体和氯气中，以蚀刻该外延薄膜以及在步骤(b)期间形成的任何其它薄膜。本发明提供了多种其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN102176411B | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201110079467.6 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 叶志渊;金以宽;李小威;阿里·朱耶基;尼乔拉斯·C·达力鞑;唐金松;陈孝;艾卡迪·V·塞蒙洛夫 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种在基板上形成外延薄膜的方法，包含：(a)提供基板；(b)将该基板暴露在硅来源和碳来源中，以形成含碳的硅外延薄膜；(c)使用封装薄膜封装该含碳的硅外延薄膜；以及(d)将该基板暴露在氯气中以蚀刻该封装薄膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||