| 发明名称 | 栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种栅极的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；以所述抗刻蚀层和光刻胶层为掩膜，对硬掩膜层进行刻蚀；采用SiCoNi工艺对刻蚀后的硬掩膜层进行消减，直至消减后的硬掩膜层的特征尺寸达到工艺要求；以消减后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。本发明能更加精确地控制硬掩膜层削减时的厚度和形貌，最终能够获得更小的CD的栅极并能够改善栅极的形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN102931069A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210496608.9 | 申请日期 | 2012.11.28 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 周军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种栅极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和光刻胶层；以所述抗刻蚀层和光刻胶层为掩膜，对硬掩膜层进行刻蚀；采用SiCoNi工艺对刻蚀后的硬掩膜层进行消减，直至消减后的硬掩膜层的特征尺寸达到工艺要求；以消减后的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||