三结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有InGaAs应力调制层结构的量子点太阳能电池结构和制备方法，其有效控制多层量子点结构中每层量子点的尺寸均匀性，使每层量子点的带隙基本相同，减少光生载流子在不同尺寸量子点之间的转换损失，从而提高量子点结构的光谱响应，减少量子点间的跃迁损耗，提升三结电池短路电流，从而进一步提高多结太阳能电池光电转换效率。

主权项

三结太阳能电池，包含底电池、中电池和顶电池，其特征在于：所述中电池包含：InxGa1‑xAs应力调制层，以及由InAs量子点和InxGa1‑xAs盖层组成的叠层InAs量子点结构，所述InxGa1‑xAs应力调制层为In组分大于0.01的InGaAs层，厚度低于其临界厚度；所述叠层InAs量子点结构形成于InxGa1‑xAs应力调制层上。