| 发明名称 | 一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法，属于柔性电子技术领域。所述晶体管为堆叠结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、n型无机半导体层、源/漏电极、电极修饰材料和P型有机半导体层；所述制备方法包括：首先在绝缘衬底上制备栅电极，其次在栅电极上制备栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上制备n型无机半导体，接着在n型无机半导体上分离地制备源/漏电极，继续在源/漏电极表面修饰电极修饰材料，最后在n型无机半导体和电极修饰材料上制备P型有机半导体层。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度，适用于柔性电子中的互补性逻辑电路。 | ||
| 申请公布号 | CN102931350A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
| 申请号 | CN201210472647.5 | 申请日期 | 2012.11.20 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 冯林润;徐小丽;唐伟;陈苏杰;郭小军 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 祖志翔 |
| 主权项 | 一种溶液法双极性薄膜晶体管，其特征是，所述晶体管为堆叠结构，其包括绝缘衬底(11)、栅电极(12)、栅极绝缘层(13)、n型无机半导体层(14)、源/漏电极(15)、电极修饰材料(16)和P型有机半导体层(17)；其中：所述绝缘衬底(11)位于所述晶体管的最底层，所述栅电极(12)位于所述绝缘衬底(11)之上，所述栅极绝缘层(13)覆盖在所述栅电极(12)之上，所述n型无机半导体层(14)覆盖于所述栅极绝缘层(13)之上，所述源/漏电极(15)分离地设于所述n型无机半导体层(14)上，所述电极修饰材料(16)修饰在所述源/漏电极(15)的表面上，所述P型有机半导体层(17)覆盖于所述n型无机半导体层(14)和电极修饰材料(16)之上。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||