N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和制备方法

摘要

本发明涉及一种N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构和制备方法，N型硅衬底受光面由内到外依次为n+型晶硅层、减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面最内层为n+型晶硅层，在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构，两种结构之间相互交替并有间隔互相分开；其中一部分为透明导电薄膜和电极的叠层结构，另一部分由内到外依次为本征非晶或微晶硅层、p型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜和电极的叠层结构。本发明结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法，并且相对于传统HIT电池，不但制备过程简单，降低金属电极的使用量，而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，提高了太阳电池的效率。

主权项

一种N型硅衬底背接触型式HIT太阳电池结构，其特征在于，N型硅衬底受光面由内到外依次为n+型晶硅层、减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面最内层为n+型晶硅层，在背光面n+型晶硅层沉积的薄膜分为两种结构，两种结构之间相互交替并有间隔互相分开；其中一部分为透明导电薄膜和电极的叠层结构，另一部分由内到外依次为本征非晶或微晶硅层、p型非晶或微晶硅层、透明导电薄膜和电极的叠层结构。