发明名称 | 一种热转印结构 | ||
摘要 | 本发明提供了一种热转印结构,适用于有机发光器件的激光诱导热成像制程,该热转印结构包括:一转印层,包括一待转印的发光层以及一电子传输层位于该待转印的发光层的上方;以及一载子传输层,设置于转印层与一给体薄膜层之间,其中,该给体薄膜层为一电子注入层,位于热转印结构的最上方,并且该载子传输层的材质与电子传输层的材质相同。采用本发明,将至少一载子传输层设置于转印层与一给体薄膜层之间,且使该载子传输层的材质与电子传输层的材质或空穴传输层的材质相同,从而可成功地分离转印介面和异质介面,消除热转印结构的介面特性不良情形,提升组件的特性和效率。 | ||
申请公布号 | CN102931356A | 申请公布日期 | 2013.02.13 |
申请号 | CN201210447457.8 | 申请日期 | 2012.11.09 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 黄师轩;陈重嘉;卓庭毅;江伯轩 |
分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
主权项 | 一种热转印结构,适用于有机发光器件(Organic LightEmitting Device,OLED)的激光诱导热成像(Laser Induced ThermalImaging,LITI)制程,其特征在于,所述热转印结构包括:一转印层,包括:一待转印的发光层;以及一电子传输层(Electron Transport Layer,ETL),位于所述待转印的发光层的上方;以及一载子传输层,设置于所述转印层与一给体薄膜层之间,其中,所述给体薄膜层为一电子注入层(Electron InjectionLayer,EIL),位于所述热转印结构的最上方,并且所述载子传输层的材质与所述电子传输层的材质相同。 | ||
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